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Dissertation / PhD Thesis/Book | PreJuSER-37409 |
2003
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
Jülich
Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/180
Report No.: Juel-4053
Abstract: In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von einzelnen Dotieratomen auf die lokalen elektronischen Eigenschaften von Halbleitern untersucht . Dazu wurden Rastertunnelmikroskopie- (RTM) und Spektroskopiemessungen an GaAs(110) Spaltoberflächen durchgeführt. Es wird gezeigt, daß der elektronische Übergang an p-n Grenzflächen eine Rauhigkeit besitzt, die mit der Verteilung einzelner Dotieratome korreliert ist. Ferner werden elektrische Auswirkungen von Dotieratomclustern untersucht, physikalische Mechanismen beim Tunneln zwischen einer Rastertunnelmikroskopspitze und Galliumarsenid (110) Oberflächen bestimmt, und aufgezeigt, daß ein atomar scharfer Voranritz atomar flache Spaltflächen ermöglicht.
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