Dissertation / PhD Thesis/Book

PreJuSER-37409

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Effects of individual dopant atoms on the electronic properties of GaAs investigated by scanning tunneling microscopy and spectroscopy

Jäger, N. D. (Corresponding author)FZJ*

2003
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/180

Report No.: Juel-4053

Abstract: In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von einzelnen Dotieratomen auf die lokalen elektronischen Eigenschaften von Halbleitern untersucht . Dazu wurden Rastertunnelmikroskopie- (RTM) und Spektroskopiemessungen an GaAs(110) Spaltoberflächen durchgeführt. Es wird gezeigt, daß der elektronische Übergang an p-n Grenzflächen eine Rauhigkeit besitzt, die mit der Verteilung einzelner Dotieratome korreliert ist. Ferner werden elektrische Auswirkungen von Dotieratomclustern untersucht, physikalische Mechanismen beim Tunneln zwischen einer Rastertunnelmikroskopspitze und Galliumarsenid (110) Oberflächen bestimmt, und aufgezeigt, daß ein atomar scharfer Voranritz atomar flache Spaltflächen ermöglicht.

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Note: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003

---

Contributing Institute(s):

1. Mikrostrukturforschung (IFF-IMF)

Research Program(s):

1. Kondensierte Materie (M02)

Appears in the scientific report 2003
Notes: Nachtrag

---

Database coverage:

---